高纯铝锭：半导体产业链的“隐形冠军”​

半导体制造核心材料​

1. ​超高纯铝制备​：区域熔炼（Zone Refining）技术产出6N级高纯铝锭（纯度9999%），铜、铁杂质≤0.1ppm，电阻率≥65nΩ·m（SEMI标准）；
2. ​溅射靶材应用​：高纯铝锭经热等静压（HIP）制成300mm靶材，晶粒尺寸≤50μm，薄膜均匀性±3%（适配5nm制程）；
3. ​键合线技术突破​：4N高纯铝锭拉丝至18μm直径，断裂强度≥12gf（JEDEC标准），替代金线降低成本60%。

​第三代半导体配套​

1. ​碳化硅封装​：铝碳化硅（Al-SiC）基板导热系数≥240W/(m·K)，使SiC模块结温降低40℃；
2. ​氮化镓散热​：微通道液冷板（高纯铝蚀刻）热流密度承载达500W/cm²，用于5G基站GaN芯片。